IRF530

Transistor IRF530

Tipo de transistor	unipolar, N-MOSFET, HEXFET
Tensión drenaje-fuente	100V
Corriente del drenaje	17A
Potencia	79W
Carcasa	TO220
Tensión puerta-fuente	20V
Resistencia en estado de transferencia	90mΩ
Resistencia térmica conector-carcasa	1.9K/W
Montaje	THT
Carga de puerta	24.7nC

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